繼上回的片狀鐵氧體磁珠之后，這次我們將為各人帶來片狀三端子電容器的先容。

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　　在先容片狀三端子電容器之前，最好先相識一下引線型三端子電容器。這有助領略片狀三端子電容器的內容。

　　圖1為普通的引線型陶瓷電容器（二端子）布局。

　　

　　在單板的電介質兩側涂上電極，再安裝上引線端子即組成引線型陶瓷電容器布局。由于其引線端子部門帶有微小的電感（殘留電感），因此在作為旁路電容利用時，會與地面發(fā)生電感。

　　

　　圖2是將電容器作為旁路電容利用時的插入損耗特性示例。在插入損耗圖中，越往下滋擾越小。由于電容器的阻抗跟著頻率的增大而增大，因此在高頻范疇內，插入損耗也應該如圖中虛線所示，逐漸增大。然而，如上所述，由于電容器在實際利用中帶有殘留電感，因此會發(fā)生滋擾，低落頻率機能，故表示出如實線所示的V字型插入損耗曲線。

　　＜三端子電容器單側引出2根引線＞

　　三端子電容器是為改進二端子電容器的高頻特性而對引線端子的形狀舉辦改造后形成的陶瓷電容器。如圖3所示， 10UF 25V，三端子電容器在單側引出兩根引線端子。將兩根引出的引線別離毗連至電源和信號線的輸入、輸出端，將相反一側接地，即可形成如右圖所示的等效電路圖。通過這種毗連方法，兩根引線側的引線電感將不進入大地側，由此可極大地減小接地電感。另外，由于兩根引線側的引線的電感浸染雷同T型濾波器的電感，可以或許起到低落滋擾的浸染。

　　

今朝所利用的電容器多為片狀多層陶瓷電容器。圖4為二端子片狀多層電容器的布局觀念圖。其布局表示為，夾著電介質薄片，別離與兩側外部電極毗連的內部電極交織層疊。由于其為片狀布局，且無引線，因此該部門沒有殘留電感。然而，由于其內部還存在微量電感，因此在較高頻率下將導致機能下降。

　　

　　與引線型的三端子電容器一樣，三端子電容器也可通過改變電極布局提高高頻機能。圖為片狀三端子電容器的布局觀念圖。在芯片兩頭接地，夾住電介質，使意會電極與接地電極交互層疊， 10UF 25V，從而形成雷同于穿心電容器的布局。等效電路如圖所示，意會電極的電感與其在引線型三端子電容器中的環(huán)境一樣，起到雷同于T型濾波器的電感的浸染，因此可減小殘留電感的影響。另外，由于接地端毗連間隔較短，因此該部門的電感也很是微小。而且，由于接地端毗連兩頭，因此呈并聯(lián)毗連狀態(tài)，電感也將低落一半。

　　

　圖6中對片狀三端子電容器與片狀二端子多層電容器的插入損耗特性舉辦了較量。兩種元件的靜電容量溝通，因此在低頻范疇內特性溝通?？墒嵌俗与娙萜髟陬l率高出10MHz后機能便開始下降，而三端子電容器則在高出100MHz后才會呈現機能下降。由于片狀三端子電容器在必然水平的高頻范疇內都不會呈現機能下降，因此它合用于需要去除高頻滋擾的環(huán)境。