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TI推出新一代1UF 50V 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

時間: 2021-03-30 瀏覽次數(shù):
日前,德州儀器 (TI) 公布推出一款可滿意 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各類低功耗存儲器終端電源打點要求的汲極/源極雙

  日前,德州儀器 (TI) 公布推出一款可滿意 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各類低功耗存儲器終端電源打點要求的汲極/源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該輕便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF,比同類競爭辦理方案的電容低落了近 80%。這樣,設(shè)計人員可操作該器件實現(xiàn)更低本錢、更小型化的 DDR 存儲器終端辦理方案,以滿意數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、條記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)物以及日益富厚的消費類電子產(chǎn)物的需求。

本文引用地點:

  高寬帶內(nèi)部跨導(dǎo), 100UF 25V,Gm放大器與積分動態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應(yīng),并且外部輸出電容極小。在負載變換幅度為 -1.5A ~+1.5A的典范應(yīng)用中,輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下事情,這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。另外,在RAM暫停事情時,該器件還支持S3 睡眠狀態(tài)節(jié)制。

  TPS51200 也可用作輸入電壓范疇為 1.1V~3.5 V 的通用高機能低降壓 (LDO) 穩(wěn)壓器。當(dāng)啟用引腳毗連至系統(tǒng)總線電壓時,該器件支持跟蹤啟動與斷電成果,這使設(shè)計人員可以輕松實施多軌系統(tǒng)電壓排序,從而簡化設(shè)計流程。

  TPS51200 的推出進一步加強了 TI 富厚的 DDR 存儲器電源辦理方案系列,個中包羅支持TPS51100 DDR 終端穩(wěn)壓器, 22UF 63V,集成汲極/源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉(zhuǎn)換開關(guān)以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關(guān)穩(wěn)壓器。TPS51200 還進一步富厚了 TI 面向存儲器技能規(guī)模已經(jīng)很是遍及的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環(huán) (PLL) 以及 LDO 產(chǎn)物,個中包羅 SN74SSQE32882,作為支持寄存式雙列直插式存儲器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器,現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
 
  供貨環(huán)境
  回收散熱機能加強型 SON-10 PowerPADTM集成電路封裝的 TPS51200 產(chǎn)物現(xiàn)已批量上市,可通過 TI 及其授權(quán)分銷商訂購。

TI推出新一代1UF 50V 3A DDR 端接穩(wěn)壓器



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