1) 晶振是有源晶振的簡稱，又叫振蕩器。英文名稱是oscillator。晶體則是無源晶振的簡稱，也叫諧振器。英文名稱是crystal。

　　2) 無源晶振(晶體)一般是直插兩個(gè)腳的無極性元件，需要借助時(shí)鐘電路才氣發(fā)生振蕩信號(hào)。常見的有49U、49S封裝。

　　3) 有源晶振(晶振)一般是表貼四個(gè)腳的封裝，內(nèi)部有時(shí)鐘電路，只需供電便可發(fā)生振蕩信號(hào)。一般分7050、5032、3225、2520幾種封裝形式。

　　2. MEMS硅晶振與石英晶振區(qū)別

　　MEMS硅晶振回收硅為原質(zhì)料，回收先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造而成。因此在高機(jī)能與低本錢方面，有明明于石英的優(yōu)勢(shì)，詳細(xì)表示在以下方面：

　　1) 全自動(dòng)化半導(dǎo)體工藝(芯片級(jí))，無氣密性問題，永不斷振。

　　2) 內(nèi)部包括溫補(bǔ)電路，無溫漂，-40—85℃全溫?fù)?dān)保。

　　3) 平均無妨礙事情時(shí)間5億小時(shí)。

　　4) 抗震機(jī)能25倍于石英振蕩器。

　　5) 支持1-800MHZ任一頻點(diǎn)，準(zhǔn)確致小數(shù)點(diǎn)后5位輸出。

　　6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多種事情電壓匹配。

　　7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各類精度匹配。

　　8) 支持7050、5032、3225、2520所有尺度尺寸封裝。

　　9) 尺度四腳、六腳封裝，無需任何設(shè)計(jì)竄改，直接替代石英振蕩器。

　　10) 支持差分輸出、單端輸出、壓控(VCXO)、溫補(bǔ)(TCXO)等產(chǎn)物種類。

　　11) 300%的市場(chǎng)增長率，三年內(nèi)有望替代80%以上的石英振蕩器市場(chǎng)。

　　3. 晶體諧振器的等效電路

　　上圖是一個(gè)在諧振頻率四周有與晶體諧振器具有溝通阻抗特性的簡化電路。個(gè)中：C1為動(dòng)態(tài)電容也稱等效串聯(lián)電容;L1為動(dòng)態(tài)電感也稱等效串聯(lián)電感;R1為動(dòng)態(tài)電阻也稱等效串聯(lián)電阻;C0為靜態(tài)電容也稱等效并聯(lián)電容。

　　這個(gè)等效電路中有兩個(gè)最有用的零相位頻率，個(gè)中一個(gè)是諧振頻率(Fr)，另一個(gè)是反諧振頻率(Fa)。當(dāng)晶體元件實(shí)際應(yīng)用于振蕩電路中時(shí)，它一般還會(huì)與一負(fù)載電容相聯(lián)接，配合浸染使晶體事情于Fr和Fa之間的某個(gè)頻率，這個(gè)頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件， VT貼片鋁電解電容，就可以在有限的范疇內(nèi)調(diào)理晶體頻率。

　　4. 要害參數(shù)

　　4.1 標(biāo)稱頻率

　　指晶體元件類型中所指定的頻率，也即用戶在電路設(shè)計(jì)和元件選購時(shí)所但愿的抱負(fù)事情頻率。

　　4.2 調(diào)解頻差

　　基準(zhǔn)溫度時(shí)，事情頻率相對(duì)付標(biāo)稱頻率的最大答允偏離。常用ppm(1/106)暗示。

　　4.3 溫度頻差

　　在整個(gè)溫度范疇內(nèi)事情頻率相對(duì)付基準(zhǔn)溫度時(shí)事情頻率的答允偏離。常用ppm(1/106)暗示。

　　4.4 老化率

　　指在劃定條件下，由于時(shí)間所引起的頻率漂移。這一指標(biāo)對(duì)緊密晶體是須要的，但它“沒有明晰的試驗(yàn)條件，而是由制造商通過對(duì)所有產(chǎn)物有打算抽驗(yàn)舉辦持續(xù)監(jiān)視的，某些晶體元件大概比劃定的程度要差，這是答允的”(按照IEC的通告)。老化問題的最好辦理要領(lǐng)只能靠制造商和用戶之間的密切協(xié)商。

　　4.5 諧振電阻(Rr)

　　指晶體元件在諧振頻率處的等效電阻，當(dāng)不思量C0的浸染，也近似便是所謂晶體的動(dòng)態(tài)電阻R1或稱等效串聯(lián)電阻(ESR)。這個(gè)參數(shù)節(jié)制著晶體元件的品質(zhì)因數(shù)，還抉擇所應(yīng)用電路中的晶體振蕩電平，因而影響晶體的不變性乃至是否可以抱負(fù)的起振。所以它是晶體元件的一個(gè)重要指標(biāo)參數(shù)。一般的，對(duì)付一給定頻率，選用的晶體盒越小，ESR的平均值大概就越高;絕大大都環(huán)境，在制造進(jìn)程中并不能估量詳細(xì)某個(gè)晶體元件的電阻值，而只能擔(dān)保電阻將低于類型中所給的最大值。

　　4.6 負(fù)載諧振電阻(RL)

　　指晶體元件與劃定外部電容相串聯(lián)，在負(fù)載諧振頻率FL時(shí)的電阻。對(duì)一給定晶體元體，其負(fù)載諧振電阻值取決于和該元件一起事情的負(fù)載電容值，串上負(fù)載電容后的諧振電阻，老是大于晶體元件自己的諧振電阻。

　　4.7 負(fù)載電容(CL)

　　與晶體元件一起抉擇負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容。晶體元件類型中的CL是一個(gè)測(cè)試條件也是一個(gè)利用條件，這個(gè)值可在用戶詳細(xì)利用時(shí)按照環(huán)境作適當(dāng)調(diào)解，來微調(diào)FL的實(shí)際事情頻率(也即晶體的制造公差可調(diào)解)。但它有一個(gè)符合值，不然會(huì)給振蕩電路帶來惡化，其值凡是回收10pF、15pF 、20pF、30pF、50pF、∝等，個(gè)中當(dāng)CL標(biāo)為∝時(shí)暗示其應(yīng)用在串聯(lián)諧振型電路中，不要再加負(fù)載電容，而且事情頻率就是晶體的(串聯(lián))諧振頻率Fr。用戶該當(dāng)留意，對(duì)付某些晶體(包羅不封裝的振子應(yīng)用)，在某一出產(chǎn)類型既定的負(fù)載電容下(出格是小負(fù)載電容時(shí))，±0.5pF的電路實(shí)際電容的毛病就能發(fā)生±10×10-6的頻率誤差。因此，負(fù)載電容是一個(gè)很是重要的訂貨類型指標(biāo)。

　　4.8 靜態(tài)電容(C0)

　　等效電路靜態(tài)臂里的電容。它的巨細(xì)主要取決于電極面積、晶片厚度和晶片加工工藝。

　　4.9 動(dòng)態(tài)電容(C1)

　　等效電路中動(dòng)態(tài)臂里的電容。它的巨細(xì)主要取決于電極面積，別的還和晶片平行度、微調(diào)量的巨細(xì)有關(guān)。

　　4.10 動(dòng)態(tài)電感(L1)

　　等效電路中動(dòng)態(tài)臂里的電感。動(dòng)態(tài)電感與動(dòng)態(tài)電容是一對(duì)相關(guān)量。

　　4.11 諧振頻率(Fr)