圖2.16描畫了一個抱負邏輯器件管芯引線毗連的四引腳雙列直插式封裝器件。包括一個發(fā)送電路和一個電路。發(fā)送電路是推拉輸出電路，而事實上任何結構的電路在高速環(huán)境下都同樣會呈現(xiàn)這一問題。

假定輸出驅動器的開關B方才封鎖，負載電容C對地放電。跟著電容的下降， 100UF 10V，它積聚的電荷向地，在接地回路上形成一個大的電流離涌，圖中標為：I放電。

跟著放電電流成立然后衰減，這一電流變革通過接地引腳的電感起浸染，在器件外的系統(tǒng)地平面與封裝內的地之間感到發(fā)生了一個電壓VGND。這個電壓的值便是：

由于輸出轉換而引起的內部參考地電位漂移稱為“地彈”

與滿幅值的輸出電壓對比，地彈電壓VGND凡是很小。它不會嚴重地減弱發(fā)送信號，但嚴重滋擾了吸收。

再來思量同一管芯內的吸收器電路部門。吸收器把輸入電壓VM與它當?shù)氐膬炔繀⒖嫉嘏e辦差分較量。這個差分運算在圖2.16中可以當作毗連到VIN的正輸入減去毗連內部地的負輸入。因為內部的地攜帶了VGND噪聲脈沖，從輸入電路看到的實際電壓差便是：

因為輸入電路對它的正和負輸入之間的差值做出了響應，它無法知道噪聲脈沖VGND是被加到負輸入，照舊從正輸入減去。換句話說，從輸入電路看來，VGND脈沖就像是直接疊加在輸入信號上的噪聲。

假如同一芯片上到N個容性負載相應的N路輸出同時轉換，會獲得N倍的地電流，于是脈沖VGND的增大也靠近N倍。

地彈電壓與顛末地線引腳的電流變革率成正比。當驅動容性負載的時候，我們期望變革率看起來像電壓的二階導數(shù)一樣。參考圖2.14， 22UF 50V，電壓的二階導數(shù)是一個雙峰波形，首先向上隆起，然后向下凹陷。