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高壓電解電容波峰焊放電220UF 50V擊穿板上芯片的機(jī)理研究及對策

時間: 2021-03-19 瀏覽次數(shù):
王大波,施清清,李會超,宗? 巖 (珠海格力電器股份有限公司,廣東?珠海?519000)摘? 要:芯片失效作為困擾

摘? 要:芯片失效作為困擾電子行業(yè)的困難,失效機(jī)理巨大,對付因出產(chǎn)現(xiàn)場情況造成的過電、靜電失效,環(huán) 節(jié)無法鎖定。通過對高壓電解電容帶電插裝對印制電路板上芯片損傷闡明,確定主板過波峰焊時錫面連錫短路 導(dǎo)致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機(jī)理,并擬定管控對策,有效低落芯片失效不良。 

要害詞:芯片失效;高壓電解電容;擊穿;波峰焊;PCBA

0  引言 

跟著電子技能的成長,小型化、集成化的芯片被應(yīng) 用于各個規(guī)模,如何擔(dān)保自身靠得住性及產(chǎn)物質(zhì)量成為芯 片廠商不絕深入研究的熱點(diǎn)。但芯片因出產(chǎn)情況、利用 情況苛刻,失效環(huán)境時有產(chǎn)生[1]。今朝業(yè)界已經(jīng)識別到 的失效原因分兩大類:①芯片自己制造缺陷;②出產(chǎn) 現(xiàn)場不類型操縱導(dǎo)致失效。業(yè)內(nèi)常用的失效闡明要領(lǐng) 包羅:芯片開封、X-Ray無損探傷、SEM掃描電鏡、 EMMI偵測等。此類闡明要領(lǐng)對付芯片制造缺陷,如晶 元異常、金線綁定異常等能直觀判定失效環(huán)節(jié),可是對 于因出產(chǎn)現(xiàn)場情況造成的EOS(過電應(yīng)力)、ESD(靜 電放電)卻難以鎖定失效點(diǎn),給出產(chǎn)、產(chǎn)物質(zhì)量改進(jìn)帶 來未便。 

電解電容因容量大,遍及應(yīng)用于輸出濾波電路中, 起儲能和濾波浸染[2-3]。高壓電解電容因其制造工藝及 電子特性,在插裝前會殘留部門電壓,而殘留電壓對付 電路板上半導(dǎo)體器件的影響一直被行業(yè)內(nèi)電路設(shè)計者所 忽略。學(xué)者針對高壓電解電容殘留電壓對芯片失效舉辦深入研究,并做了充實試驗驗證。功效表白高壓電解電 容未放電即插裝,在過波峰焊時會通過錫面將殘留電壓 浸染于芯片上,致使芯片失效。同時,學(xué)者通過大量數(shù) 據(jù)驗證,通過改造電路機(jī)關(guān)或過板偏向,有效辦理了因 高壓電解電容未放電導(dǎo)致的芯片失效,低落產(chǎn)物不良 率,提高產(chǎn)物靠得住性[4-5]。

1  案例闡明 

1.1 配景 

節(jié)制器車間出產(chǎn)某兩款主板,某廠家開關(guān)電源芯 片零散下線,批次不會合,失效外在表示為芯片的1腳 (使能腳)與5腳(地腳)之間阻抗值異常,正常品阻 抗為M歐級別,失效品阻抗為K歐級別。對正常、異常 芯片別離測試U-I曲線,如圖1、圖2所示,表白芯片失 效,有泄電流。圖3、圖4為異常芯片X-Ray圖像, 2.2UF 400V,功效 表白芯片內(nèi)部布局無明明異常。經(jīng)廠家對芯片開封確 認(rèn),如圖5所示,確認(rèn)芯片失效模式為過電損傷。

高壓電解電容波峰焊放電220UF 50V擊穿板上芯片的機(jī)理研究及對策

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1.2 闡明進(jìn)程 

取庫存開關(guān)電源芯片,對 PIN1(EN/UV)腳與 PIN5(S)腳施加15 V直流電壓,測試阻值,試驗后芯 片1~5腳阻抗在10 kΩ閣下,與下線異常品阻抗一致, 測試U-I曲線與下線品一致,存在明明泄電。經(jīng)對芯片 開封確認(rèn),芯片屬過電失效。 

對出產(chǎn)線及員工的靜電防護(hù)、在線測試設(shè)備舉辦排查,未發(fā)明異常。為鎖定失效環(huán)節(jié),對未上線芯片全檢 1~5腳阻抗,無異常后進(jìn)入下一出產(chǎn)流程。最終鎖定失 效環(huán)節(jié)產(chǎn)生在主板進(jìn)入波峰焊后與出波峰焊間,進(jìn)一步 查抄波峰焊設(shè)備接地狀態(tài)及防靜電查抄,無異常。劈頭 闡明為高溫導(dǎo)致芯片失效。因芯片為SMT貼裝,比擬回 流焊、波峰焊溫度及過板時間,回流焊情況更為惡劣, 但未呈現(xiàn)異常。同步布置芯片高溫、低溫、冷熱攻擊、 高溫潮態(tài)試驗均未發(fā)明異常,鎖定失效產(chǎn)生在波峰焊浸 錫環(huán)節(jié)。 

對開關(guān)電源芯片電路闡明,電路中有450 V/22 μF的 電解電容,劈頭鎖定過電源為電解電容放電異常。履歷 證,利用直流電源對主板上電解電容充15 V的直流電后 對開關(guān)電源芯片1-5腳舉辦放電,芯片失效,與下線樣 品現(xiàn)象一致。查詢該芯片技能參數(shù),PIN1腳(EN/UV) 事情的最大額定電壓為9 V,高于9 V有過電擊穿隱患。 隨機(jī)抽取350個未上線利用的電解電容測試殘余電壓, 有3個電壓高于10 V,理論上高壓電解電容殘余電壓在 未放電即插裝利用存在擊穿芯片隱患。

2  嘗試驗證 

2.1 驗證條件及功效 

1.同編碼電容及下線主板; 

2.殘余電壓:30 V; 

3.驗證數(shù)量:30 PCS; 

4.驗證功效:未復(fù)現(xiàn)。 

2.2 原因闡明 

通過對出產(chǎn)進(jìn)程及波峰焊內(nèi)部結(jié)構(gòu)闡明,確認(rèn)未復(fù) 現(xiàn)原因有以下3點(diǎn): 

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