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西安交大獲取到用于脈沖功33UF 16V率系統(tǒng)的陶瓷電容器儲能密度最高值

時間: 2021-03-22 瀏覽次數(shù):
該成就可遍及應(yīng)用在基于電卡效應(yīng)的固態(tài)制冷陶瓷等電子成果陶瓷規(guī)模,提高其在強場條件下事情的不變性和靠得住性

  北京時間16日破曉,英國《自然質(zhì)料》期刊在線頒發(fā)了西安交通大學電信學部徐卓、李飛傳講課題組最新學術(shù)成就《用于能量存儲的織構(gòu)多層陶瓷電容器》。

  據(jù)徐卓傳授先容,陶瓷電容器作為一種重要的儲能電子元件,具有放電功率高、溫度不變性好和輪回壽命長等利益,在先進電子和電力系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的浸染,出格是在脈沖功率技能規(guī)模有著不行替代的應(yīng)用。當前,電子器件正向小型化、輕型化偏向成長,這也對陶瓷電容器的儲能密度提出了更高的要求。該成就可遍及應(yīng)用在基于電卡效應(yīng)的固態(tài)制冷陶瓷等電子成果陶瓷規(guī)模,提高其在強場條件下事情的不變性和靠得住性。

  連年來,西安交大電信學部科研團隊基于鈣鈦礦晶體電致伸縮效應(yīng)的各向異性特點,有針對性提出“通過節(jié)制晶粒取歷來低落陶瓷電容器在強場下所發(fā)生的應(yīng)變和應(yīng)力,制止微裂紋和拉伸應(yīng)力所導致的陶瓷擊穿,提高其擊穿電場強度和儲能密度”設(shè)計思路, 3.3UF 50V,通過近兩年時間的技能攻關(guān),首次合成了<111>取向的鈦酸鍶模板(圖 1);進而,操作流延-模板法樂成制備了織構(gòu)度達91%的高質(zhì)量<111>取向鈦酸鍶鉍鈉(NBT-SBT)多層織構(gòu)陶瓷電容器(圖 2),大幅低落了陶瓷在強場下的電致應(yīng)變,提高了擊穿電場(100 MV m-1), 貼片鋁電解電容,得到了高達21.5 J cm-3的儲能密度,這是今朝已知陶瓷電容器的最高值(圖 3)。

西安交大獲取到用于脈沖功33UF 16V率系統(tǒng)的陶瓷電容器儲能密度最高值

  圖 1 a, Ba6Ti17O40前軀體的電子顯微鏡照片;b, <111>取向鈦酸鍶模板的電子顯微鏡照片。

西安交大獲取到用于脈沖功33UF 16V率系統(tǒng)的陶瓷電容器儲能密度最高值

  圖 2 a, <111>取向鈦酸鍶鉍鈉(NBT-SBT)多層織構(gòu)陶瓷電容器照片;b, <111>取向NBT-SBT多層織構(gòu)陶瓷橫截面的電子顯微照片;c, 放大后的電子顯微照片;d, <111>取向NBT-SBT陶瓷的晶粒取向漫衍圖。

西安交大獲取到用于脈沖功33UF 16V率系統(tǒng)的陶瓷電容器儲能密度最高值

  圖 3 a, NBT-SBT多層陶瓷應(yīng)變與電場的干系;b, <111>取向多層陶瓷極化強度與電場的干系;c, <111>織構(gòu)陶瓷的儲能密度與其他陶瓷質(zhì)料的比擬。

西安交大獲取到用于脈沖功33UF 16V率系統(tǒng)的陶瓷電容器儲能密度最高值

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